Nouvelles stratégies pour des modèles de simulation rapides et précis de transistors MOS et des circuits complexes basés sur des méthodologies d’identification et de caractérisation

Description

Le but de ce travail est d’améliorer et d’optimiser les performances d’un outil EDA (Electronics Design Automation) en cours de développement. L’outil est dédié à l’identification de systèmes, la représentation des paramètres physiques et électriques et la simulation de signaux analogiques, numériques, mixtes et circuits RF. L’identification du système consiste en la récupération des données externes et, en utilisant des méthodes mathématiques complexes, transférer ces informations aux équations représentant le comportement ou son modèle interne. Basé sur le comportement électrique externe d’un système (transistor, composant ou circuits complexes), obtenu par simulation ou par mesures directes (d’un circuit de caractérisation), l’outil fournit un modèle de représentation sous la forme d’équations polynomiales mathématiques. Ce travail est, au premier abord, orienté vers de la caractérisation et modélisation des transistors MOS. Cependant, FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) transistors seront également considérés.